薄膜電容使用時(shí)經(jīng)常產(chǎn)生的問題

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發(fā)布時(shí)間：2022-12-05

 一、范圍內(nèi)電流選用不當(dāng)
由于電流范圍選擇不當(dāng)，更多的位置是直流維護(hù)和簡諧振動(dòng)。如果香精所需的電流值大于薄膜電容器所允許的電流值。則形成薄膜電容器加熱效果，并造成長期高溫操作,大大降低了薄膜電容器的使用壽命,并造成了開裂甚至燃燒的嚴(yán)重可能性。在配置試驗(yàn)中，允許通過專用電流探頭或其他方法測(cè)量實(shí)際需求的峰值電流，然后調(diào)整電容器的參數(shù)。

薄膜電容器的溫升可通過在功率劣化測(cè)試中配置薄膜電容器的溫升來測(cè)量，并且該參數(shù)可用于識(shí)別薄膜電容器的選擇是否適合 于薄膜電容器的溫升允許參數(shù)。

二、導(dǎo)線連接方式不當(dāng)
導(dǎo)線連接不當(dāng)?shù)年P(guān)鍵在于多個(gè)薄膜電容并聯(lián)電路的應(yīng)用。由于布線方法不同，布線間隔不同等，電子電路中各平行薄膜電容器的分流不相同。

每個(gè)薄膜電容器的溫升是不同的。部分位置膜電容溫升過高,造成破壞事故..因此,薄膜電容器并聯(lián)運(yùn)行時(shí)，須進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕泳�和連接，盡可能達(dá)到平均值，提高薄膜電容器的使用壽命。

三、超出規(guī)定的范圍電壓
在超過規(guī)定的范圍電壓的情況下，重要的方面是諧波振動(dòng)部分。開發(fā)商應(yīng)根據(jù)電源配置、輸入電壓、 電路拓?fù)�、�?fù)載磁導(dǎo)率、電子電路Q因數(shù)等 參數(shù)綜合考慮，制定初步方案。

在原型開始達(dá)到條件后，對(duì)薄膜電容器兩側(cè)的電峰值和串聯(lián)諧振等參數(shù)進(jìn)行了基本的測(cè)量，進(jìn)-步確定采用的薄膜電容器 模型和參數(shù)是準(zhǔn)確的。

相關(guān)標(biāo)簽：高壓脈沖電容器,高壓高頻電容器,脈沖形成網(wǎng)絡(luò),濾波電容器,電容分壓器